TSMC、HBM向け微細バンプ技術を継続へ　2028年に5μm級の量産を目指す

TSMC（台積電）は、HBM（広帯域メモリ）とAIアクセラレータを接続する先端パッケージングにおいて、当面はハイブリッドボンディングではなく従来のマイクロバンプ技術を継続する方針を固めた。HBM4後期からHBM5初期にかけて、より微細な5μm級のバンプ接続およびアンダーフィル技術の導入を計画しており、韓国や日本のサプライヤーと共同開発を進めている。量産開始は2028年後半を見込む。HBMの積層高さ制限と高密度化の要求に応えるため、バンプの微細化が不可欠となっている。