SK 海力士：下一代 3D DRAM 开发将利用代工工艺

SK 海力士表示，下一代存储器 3D DRAM 的开发将引入逻辑代工工艺。公司高管指出，实现 3D DRAM 需要解决微细互连、封装及散热等技术难题，未来存储器与逻辑技术的边界将进一步模糊，需建立跨领域的优化与协作体系。