台积电宣布将于 2030 年起量产采用 ASML 高 NA EUV 光刻机

台积电宣布计划自 2030 年起在量产中引入 ASML 的高 NA EUV 光刻机。双方将共同开展行业合作，通过将光掩模尺寸从 6 英寸扩大至 12 英寸，以解决高 NA 机型曝光面积减小带来的成本上升问题。台积电计划于 2031 年前建立大型掩模试制产线，并于 2033 年前实现相关设备的量产化应用。