三星与阿斯麦(ASML)扩大战略合作,押注高数值孔径 EUV 与 12 英寸光掩模
三星电子(Samsung Electronics)与阿斯麦(ASML)宣布深化战略合作,共同推进高数值孔径(High NA) EUV 光刻及先进半导体制造。双方将开发下一代 12 英寸光掩模平台,以提升生产效率并降低成本。三星计划在 2028 年前将 High NA EUV 技术引入 DRAM 大规模量产,以优化制程路线。
摘要由 AI 依据原文撰写,并非投资建议。
三星电子(Samsung Electronics)与阿斯麦(ASML)宣布深化战略合作,共同推进高数值孔径(High NA) EUV 光刻及先进半导体制造。双方将开发下一代 12 英寸光掩模平台,以提升生产效率并降低成本。三星计划在 2028 年前将 High NA EUV 技术引入 DRAM 大规模量产,以优化制程路线。
摘要由 AI 依据原文撰写,并非投资建议。