삼성전자, 차세대 DRAM 로드맵 조정…B1b를 D0a로 명명

삼성전자가 차세대 DRAM 전략을 수정해 기존 프로젝트였던 B1b를 정식 로드맵에 포함하고 D0a로 명명했다. 이번 조치는 범용 DRAM에 첨단 패키징 기술을 빠르게 도입하기 위한 결정이다. B1b는 서로 다른 웨이퍼에 회로를 제조한 뒤 구리 배선으로 연결하는 하이브리드 본딩 방식을 채택했다. 삼성전자는 이를 2029년 양산 예정인 HBM5에 적용하는 방안을 검토 중이며, 상용화는 약 2년 뒤로 예상된다.