창신메모리 HBM3 시험 생산, 수율 25%에 그쳐

중국 최대 D램 제조사 창신메모리(CXMT)가 HBM3 시험 생산을 시작했으나 초기 수율이 25% 수준에 머물렀다. 이는 양산 기준인 80%에 크게 못 미치는 수치다. 업계는 실리콘관통전극(TSV) 기술 성숙도 부족을 원인으로 지목하며, SK하이닉스 등 선두 기업과 4~5년의 기술 격차가 존재한다고 분석했다. 기술적 난관으로 인해 단기간 내 시장 영향력 확대는 어려울 것으로 풀이된다.