TSMC, HBM 패키징에 미세 범프 기술 유지…2028년 5μm 양산 목표

TSMC(台积电)가 고대역폭 메모리(HBM)와 AI 가속기 연결을 위해 당분간 기존 미세 범프 기술을 유지할 방침이다. HBM4 후기 및 HBM5 초기까지 해당 기술을 활용할 예정이며, 2028년 하반기 5μm급 범프 양산을 목표로 협력사들과 개발에 착수했다. HBM 적층 높이 제한과 고밀도 연결 수요에 대응하기 위한 기술 고도화로 해석된다.