三星電子高管：明年 HBM 預計將佔 DRAM 晶圓產能近三成

三星電子執行副總裁 Kim Taewoo 表示，預計明年 HBM 將佔 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，高於目前的 20%。由於 HBM 與傳統 DRAM 爭奪先進製程產能，產能擴張可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 預測，至 2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入將佔總投入的 30%，且 2027 年儲存供應將維持偏緊，混合平均售價預計同比上漲 121%。