Resonac 成功開發世界級 300mm 碳化矽基板
化學大廠 Resonac Holdings 宣布,在次世代功率半導體材料碳化矽(SiC)領域取得重大突破,成功實現直徑 300mm(12 英寸)單結晶的生長與基板加工。該公司表示,300mm 基板目前正處於開發階段,此舉旨在縮小與海外競爭對手的技術差距。
摘要由 AI 依據原文撰寫,並非投資建議。
化學大廠 Resonac Holdings 宣布,在次世代功率半導體材料碳化矽(SiC)領域取得重大突破,成功實現直徑 300mm(12 英寸)單結晶的生長與基板加工。該公司表示,300mm 基板目前正處於開發階段,此舉旨在縮小與海外競爭對手的技術差距。
摘要由 AI 依據原文撰寫,並非投資建議。