三星電子調整下一代 DRAM 路線圖，將 B1b 命名為 D0a

三星電子調整 DRAM 戰略，將原先以項目形式開發的 B1b 納入正式路線圖，並更名為首款 10 奈米以下 DRAM「D0a」。此舉旨在加速先進封裝技術導入通用 DRAM。B1b 採用晶圓對晶圓混合鍵合技術，三星電子正評估將其應用於預計 2029 年量產的 HBM5，目標較 HBM4E 提升 50% 以上運行速度。基於 B1b 的 D0a DRAM 最快約兩年後商用。