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長江存儲擬於 2026 年底試產 LPDDR5,長鑫存儲計畫進軍 NAND

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受 AI 與雲端應用推升需求影響,中國兩大存儲器廠長江存儲與長鑫存儲將調整業務布局。長江存儲計畫於 2026 年底試產 LPDDR5 DRAM,並持續擴產;長鑫存儲則擬在北京設置 NAND 研發產線,預計最快 2028 至 2029 年量產。業界推測兩家廠商最快於 2028 年正面競爭。

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摘要由 AI 依據原文撰寫,並非投資建議。

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