黃仁勳預測中國 2030 年可實現先進光刻技術自主化
輝達(NVIDIA)執行長黃仁勳在 All-In 峰會上表示,預計中國在 2030 年前能開發出自主的先進光刻系統。他認為,一旦技術成熟,中國強大的大規模生產能力將使國產設備進入本土晶圓廠。此觀點較蔡司(Zeiss)半導體負責人 Frank Rohmund 的預測更為樂觀,後者曾稱中國研發國產 EUV 光刻機可能還需約 15 年。黃仁勳在回答中未明確限定該技術為 EUV。
摘要由 AI 依據原文撰寫,並非投資建議。
輝達(NVIDIA)執行長黃仁勳在 All-In 峰會上表示,預計中國在 2030 年前能開發出自主的先進光刻系統。他認為,一旦技術成熟,中國強大的大規模生產能力將使國產設備進入本土晶圓廠。此觀點較蔡司(Zeiss)半導體負責人 Frank Rohmund 的預測更為樂觀,後者曾稱中國研發國產 EUV 光刻機可能還需約 15 年。黃仁勳在回答中未明確限定該技術為 EUV。
摘要由 AI 依據原文撰寫,並非投資建議。