台積電計畫 2030 年起量產採用 ASML 高數值孔徑 EUV 光刻機

台積電宣布將於 2030 年起在量產中採用荷蘭 ASML 的新型「高數值孔徑」（High NA）極紫外光（EUV）光刻機。雙方將合作推動產業跨界改良，計畫將光掩模從 6 英寸擴大至 12 英寸，並於 2031 年前設立試製產線，目標在 2033 年前使相關設備達到先進半導體生產標準。此舉旨在透過擴大曝光面積以降低高數值孔徑機型帶來的成本與工序複雜度。