長鑫存儲 HBM3 試產良率停滯於 25%

據《朝鮮日報》報導，中國 DRAM 大廠長鑫存儲（CXMT）已啟動 HBM3 試產，但初期良率僅約 25%，遠低於量產所需的 80% 標準。相較之下，SK 海力士（SK Hynix）同類產品良率已超過 90%。長鑫存儲目前將少量樣品供應給阿里巴巴平頭哥、寒武紀等企業。業界分析認為，良率受限主因在於矽穿孔（TSV）技術成熟度不足，目前長鑫存儲的 TSV 數量約 3000 個，與三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）相比仍有 4 至 5 年的技術差距。