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三星計畫於 2028 年將高數值孔徑 EUV 技術應用於 DRAM 生產

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三星計畫在 2028 年前採用高數值孔徑(High-NA)EUV 技術進行 DRAM 生產,此舉將重塑 DRAM 生產格局,加劇產業競爭並影響半導體市場動態。

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摘要由 AI 依據原文撰寫,並非投資建議。

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