三星計畫於 2028 年將高數值孔徑 EUV 技術應用於 DRAM 生產 Crypto Briefing · 2026-09-08 12:04 UTC 三星計畫在 2028 年前採用高數值孔徑(High-NA)EUV 技術進行 DRAM 生產,此舉將重塑 DRAM 生產格局,加劇產業競爭並影響半導體市場動態。 #삼성전자#dram#euv 閱讀原文 用 App 開啟 摘要由 AI 依據原文撰寫,並非投資建議。