消息稱 SK 海力士 1c nm 製程有望於 2027 年初成為主流

SK 海力士（SK Hynix）正加速擴大第六代 10nm 級 DRAM 製程（1c nm）的產能，以應對下一代高頻寬記憶體（HBM）的需求。預計 1c nm 製程的市場份額將持續攀升，並有望在 2025 年第一季度超越 1b 製程，成為該公司的主流工藝。