SK海力士加速擴大1c DRAM產能，預計明年年初成為主力製程

據《朝鮮日報》報導，SK海力士(SK Hynix)正加速提升10奈米級第六代(1c)DRAM的生產比重。預計該製程佔比將從今年第三季的24%提升至第四季的34%，並在明年第一季達到約35%，首次超越1b製程成為主力。SK海力士計畫在下一代HBM4E中首次將1c DRAM作為核心晶片，以應對AI市場需求。