瑞銀：中國十年內難以開發頂尖 EUV 光刻設備，DUV 量產需兩至五年

瑞銀集團分析師指出，中國半導體製造技術在未來十年內難以追趕阿斯麥(ASML)的頂尖 EUV 光刻技術，目前技術成熟度約相當於阿斯麥 2004 年的水平。報告預測，中國有望在兩至五年內實現浸沒式 DUV 光刻機的大規模量產。儘管中國是阿斯麥的主要市場，但受出口限制影響，無法取得 EUV 設備，且中國國產光刻設備因良率與產能限制，短期內難以在國際市場應用。