台積電短期續用微凸塊封裝 HBM，目標 2028 年量產 5μm 方案

據材料行業消息，台積電(TSMC)預計短期內將繼續採用傳統微凸塊技術連接高頻寬記憶體(HBM)與 AI 加速器，而非混合鍵合。台積電已要求供應商開發約 5 微米級凸塊的鍵合與底部填充解決方案，預計 2028 年下半年量產。目前 HBM3E 凸塊高度約 15–25μm，HBM4 則接近 10μm。由於 HBM 堆疊高度限制及互連密度需求提升，台積電正推動凸塊細化。目前 HBM 封裝主要由 SK 海力士(SK Hynix)與三星電子(Samsung Electronics)完成，台積電則透過 CoWoS 封裝將其安裝至矽中介層上。