CoinScoop三星電子正為輝達開發 8 層 HBM4E 記憶體
據韓國媒體報導，三星電子(Samsung Electronics)正應輝達(NVDA)要求，開發 8 層第七代高頻寬記憶體(HBM4E)。該方案較原定的 12 層與 16 層堆疊高度顯著降低，且輝達要求的速度規格達 17-18Gbps，較三星初期樣品的 14.4Gbps 提升約 20%，預計將應用於 NVHBM。
同一天的其他新聞
- 湯姆·李旗下 Bitmine 斥資 1.31 億美元增持以太幣，創 6 月以來最大單筆買入Decrypt
- 芝加哥商品交易所（CME）推出兩項全新加密貨幣基準指數链捕手 ChainCatcher
- 紐約證交所母公司 ICE 投資 tZERO，攜手推動證券代幣化業務CoinDesk
- 加密貨幣基金單週流入 32 億美元，創下美國銀行自 2025 年 10 月以來新高Journal du Coin
- 比特幣 ETF 出現 2.1 億美元流出，以太坊 ETF 連續十日淨流入Crypto Briefing
- 疑似機構地址大規模拋售 15.43 萬枚 ETHTechFlow 深潮
- Bitmine 增持 53,501 枚 ETH，Tom Lee 稱以太坊為表現最佳宏觀資產The Block
- 美伊軍事交火引發擔憂，油價跳漲3%突破90美元Crypto Briefing
- 湯姆·李旗下 BitMine 再增持 53,501 枚以太幣，總持倉達 590 萬枚CoinGape
- Strive 增持 1,800 枚比特幣躍升為第五大企業持有者，股價單日漲逾 5%CoinGape
- DeFi 協議遭價格操縱攻擊，損失達 8,300 萬美元CryptoSlate
- 上市公司比特幣淨買入量週增 529.6%，微策略時隔九週重啟增持链捕手 ChainCatcher