三星电子:预计明年 HBM 将占 DRAM 晶圆产能近三成
三星电子执行副总裁 Kim Taewoo 表示,预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%,高于目前的 20%。由于 HBM 与传统 DRAM 争夺有限的先进制程产能,HBM 产出的扩大可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 预测,2027 年存储供应将持续偏紧,并上调了 2027 年 HBM 价格预期,预计混合平均售价同比上涨 121%。
摘要由 AI 依据原文撰写,并非投资建议。
三星电子执行副总裁 Kim Taewoo 表示,预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%,高于目前的 20%。由于 HBM 与传统 DRAM 争夺有限的先进制程产能,HBM 产出的扩大可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 预测,2027 年存储供应将持续偏紧,并上调了 2027 年 HBM 价格预期,预计混合平均售价同比上涨 121%。
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