三星电子调整下一代 DRAM 路线图，将 B1b 命名为 D0a

据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整 DRAM 战略，将原项目 B1b 纳入正式路线图并更名为 D0a，作为首款 10 纳米以下 DRAM 产品。该产品采用晶圆对晶圆混合键合技术，旨在加速先进封装导入。三星正评估将 B1b 用于 HBM5，预计该内存将于 2029 年量产，性能较 HBM4E 提升 50% 以上。基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用。