黄仁勋:中国 2030 年有望实现先进光刻系统自主化
英伟达(NVIDIA)首席执行官黄仁勋在 All-In 峰会上表示,中国有望在 2030 年前自主研发出先进光刻系统。他认为,一旦技术成熟,中国强大的大规模生产能力将使国产设备进入本土晶圆厂成为必然。该观点较蔡司(Zeiss)半导体负责人 Frank Rohmund 此前预测的 15 年周期更为乐观。主持人所指的先进光刻系统未限定为 EUV,黄仁勋在回应中也未明确提及 EUV。
摘要由 AI 依据原文撰写,并非投资建议。
英伟达(NVIDIA)首席执行官黄仁勋在 All-In 峰会上表示,中国有望在 2030 年前自主研发出先进光刻系统。他认为,一旦技术成熟,中国强大的大规模生产能力将使国产设备进入本土晶圆厂成为必然。该观点较蔡司(Zeiss)半导体负责人 Frank Rohmund 此前预测的 15 年周期更为乐观。主持人所指的先进光刻系统未限定为 EUV,黄仁勋在回应中也未明确提及 EUV。
摘要由 AI 依据原文撰写,并非投资建议。