消息称 SK 海力士 1c nm 工艺有望于 2027 年初成为主流

SK 海力士正加速扩大 1c nm DRAM 工艺产能，以支持下一代高带宽内存（HBM）的芯片堆叠需求。预计 1c nm 工艺的市场份额将持续增长，并有望在明年第一季度达到 35% 左右，首次超越 1b 工艺成为公司的主流工艺。