SK海力士加速扩大1c DRAM产能，预计明年年初成为主力工艺

据《朝鲜日报》报道，SK海力士(SK Hynix)正加速提升10纳米级第六代(1c)DRAM的生产占比。预计该工艺占比将在今年第四季度升至约34%，并在明年第一季度达到约35%，首次超过1b工艺成为主力。SK海力士计划在下一代HBM4E中首次将1c DRAM作为核心芯片使用，以应对AI市场需求。