三星电子正为英伟达开发 8 层 HBM4E 内存

据韩国媒体报道，三星电子(Samsung Electronics)正根据英伟达(NVDA)的要求开发 8 层第七代高带宽内存(HBM4E)。该方案较原计划的 12 层及 16 层堆叠高度显著降低，且英伟达要求的 17-18Gbps 速度规格比三星初期样品高出约 20%，该产品预计将应用于 NVHBM。