Samsung Electronics ajusta roteiro de DRAM e renomeia B1b para D0a

A Samsung Electronics ajustou sua estratégia para a próxima geração de DRAM, integrando o projeto B1b ao seu roteiro oficial sob a nomenclatura D0a, a primeira DRAM abaixo de 10 nanômetros. O produto anteriormente conhecido como D0a foi reclassificado como D0a-V. A mudança visa acelerar a adoção de encapsulamento avançado em DRAMs de uso geral, utilizando a técnica de colagem híbrida wafer-a-wafer. A empresa avalia aplicar a tecnologia B1b na oitava geração de memória de alta largura de banda, a HBM5, prevista para 2029. A expectativa é que a DRAM D0a baseada em B1b seja comercializada em cerca de dois anos.