삼성전자, 내년 HBM이 전체 DRAM 생산량 30% 차지 전망
삼성전자 김태우 부사장은 내년 HBM이 전체 DRAM 웨이퍼 생산 능력의 약 30%를 차지할 것으로 내다봤다. HBM 수요 급증으로 인해 일반 DRAM 공급이 압박을 받을 수 있으며, 2027년까지 공급 부족 현상이 지속될 것으로 보인다.
요약은 원문을 바탕으로 AI가 작성했어요. 투자 조언이 아닙니다.
삼성전자 김태우 부사장은 내년 HBM이 전체 DRAM 웨이퍼 생산 능력의 약 30%를 차지할 것으로 내다봤다. HBM 수요 급증으로 인해 일반 DRAM 공급이 압박을 받을 수 있으며, 2027년까지 공급 부족 현상이 지속될 것으로 보인다.
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