코인스쿱삼성전자, 2028년까지 DRAM 생산에 High-NA EUV 도입 계획
삼성전자가 2028년까지 DRAM 생산 공정에 고개구수 극자외선(High-NA EUV) 노광 장비를 도입할 계획이다. 반도체 생산 경쟁력을 강화하고 업계 판도를 변화시킬 것으로 전망된다.
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