SK하이닉스, 1c nm 공정 전환 가속…내년 초 주력 공정 전망

SK하이닉스가 6세대 10nm급 DRAM 공정인 1c nm의 생산 비중을 빠르게 확대하고 있다. 1c DRAM은 차세대 고대역폭 메모리(HBM)의 핵심 칩으로 사용될 예정이다. 시장 점유율은 올해 4분기 34%에 이어 내년 1분기 35%를 기록하며 주력 공정으로 자리 잡을 것으로 보인다.