SK하이닉스, 1c DRAM 생산 비중 확대 가속
SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) DRAM 생산 비중을 빠르게 늘리고 있다. 4분기에는 1c DRAM 비중이 약 34%에 달해 삼성전자를 앞지를 것으로 전망된다. 내년 1분기에는 1c 공정이 주력으로 자리 잡으며 HBM4 생산에도 본격 활용될 예정이다.
요약은 원문을 바탕으로 AI가 작성했어요. 투자 조언이 아닙니다.
SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) DRAM 생산 비중을 빠르게 늘리고 있다. 4분기에는 1c DRAM 비중이 약 34%에 달해 삼성전자를 앞지를 것으로 전망된다. 내년 1분기에는 1c 공정이 주력으로 자리 잡으며 HBM4 생산에도 본격 활용될 예정이다.
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