サムスン電子幹部、来年のDRAMウェハー生産能力の約3割がHBM向けになると予測
サムスン電子のキム・テウ副社長は、来年にはHBMがDRAMメーカーの総ウェハー生産能力の約30%を占めるようになるとの見通しを示した。現在その比率は約20%である。HBMと従来のDRAMは同じ生産能力を奪い合う関係にあり、HBMの増産が従来型DRAMの供給を圧迫する可能性がある。TrendForceは、AIサーバー需要の継続により、2027年までメモリ供給の逼迫が続くと予測している。
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