サムスン電子、次世代DRAMロードマップを調整　B1bを「D0a」に名称変更

サムスン電子は次世代DRAM戦略を調整し、プロジェクト名「B1b」を正式ロードマップに組み込み、10ナノメートル未満のDRAMとして「D0a」と命名した。従来の垂直トランジスタ型DRAMは「D0a-V」に分類される。今回の変更は、汎用DRAMへの先端パッケージング導入を加速させる狙いがある。B1bはウェハー・オン・ウェハー（WoW）ハイブリッドボンディングを採用し、第8世代高帯域幅メモリ「HBM5」への活用も検討されている。HBM5は2029年頃の量産を目指しており、D0a DRAMの商用化は最短で2年後となる見込み。