SKハイニックス、3D DRAM開発にファウンドリ工程の活用を示唆

SKハイニックスは、次世代メモリ「3D DRAM」の開発において、ロジックファウンドリ工程の活用が重要になるとの見解を示した。3D DRAMはメモリセルを垂直に積層する技術であり、設計や発熱の問題に加え、微細相互接続やボンディングなどのパッケージング技術の課題解決が求められる。同社は、メモリとロジックの境界が曖昧になる中、材料・デバイス・パッケージ・アーキテクチャを統合した設計フレームワークの必要性を強調した。