長鑫存儲(CXMT)、HBM3の試作歩留まりが25%で停滞

中国最大のDRAMメーカーである長鑫存儲(CXMT)が、第4世代高帯域幅メモリ(HBM3)の試験生産を開始したが、初期歩留まりは25%に留まっている。これは量産に必要な80%の約3分の1に相当する。SKハイニックス(SK Hynix)は2022年から同製品を量産しており、歩留まりは90%を超えている。業界では、シリコン貫通電極(TSV)技術の成熟度不足が主な原因と指摘されており、サムスン電子やSKハイニックスとの間には4〜5年の技術格差があると分析されている。