コインスクープサムスン、2028年までにDRAM生産へHigh-NA EUVを導入予定
サムスン(Samsung)は2028年までにDRAMの製造プロセスにHigh-NA EUV露光装置を導入する計画である。半導体業界における競争の激化と技術動向に影響を与える見通し。
投資助言ではありません。
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