コインスクープサムスン電子、エヌビディア向けに8層HBM4Eを開発中
サムスン電子(Samsung Electronics)が、エヌビディア(NVIDIA)の要請に応じ、第7世代高帯域幅メモリ(HBM4E)の8層モデルを開発している。当初計画の12層・16層からスタック高さを抑え、速度仕様も初期サンプルの14.4Gbpsから約20%向上した17-18Gbpsを目指す。この製品はNVHBMに採用される見通しである。
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