CoinScoopSamsung Electronics prevé que la HBM represente casi el 30% de la capacidad de obleas DRAM el próximo año
Kim Taewoo, vicepresidente ejecutivo de Samsung Electronics, señaló que la memoria de alto ancho de banda (HBM) ocupará cerca del 30% de la capacidad total de producción de obleas DRAM de los fabricantes en 2025, frente al 20% actual. La expansión de la producción de HBM podría limitar el suministro de DRAM convencional. TrendForce estima que, aunque la inversión en obleas HBM alcanzará el 30% para finales de 2027, solo contribuirá con un 13% al suministro total de DRAM por capacidad de almacenamiento. Samsung comenzó la producción en masa de HBM4 en febrero y suministró muestras de HBM4E de 12 capas a clientes como NVIDIA en mayo.
Los resúmenes los escribe una IA a partir del artículo original. No es asesoramiento de inversión.