Resonac logra fabricar sustratos de SiC de 300 mm, un hito en la industria de semiconductores
La compañía química Resonac Holdings anunció el éxito en el crecimiento de monocristales y el procesamiento de sustratos de carburo de silicio (SiC) con un diámetro de 300 mm (12 pulgadas). Este avance en materiales para semiconductores de potencia posiciona a la empresa a la vanguardia del desarrollo tecnológico global en este sector.
Los resúmenes los escribe una IA a partir del artículo original. No es asesoramiento de inversión.