Samsung Electronics ajusta su hoja de ruta de DRAM y renombra B1b como D0a

Samsung Electronics ha modificado su estrategia para la próxima generación de DRAM, integrando el proyecto B1b en su hoja de ruta oficial bajo el nombre de D0a, su primera DRAM de menos de 10 nanómetros. El producto anteriormente conocido como D0a, basado en transistores verticales, ha sido reclasificado como D0a-V. Este cambio busca acelerar la adopción de empaquetado avanzado en DRAM de uso general. La tecnología B1b utiliza unión híbrida de oblea a oblea para conectar circuitos de controlador y celdas de memoria. Samsung evalúa implementar B1b en la octava generación de memoria de alto ancho de banda, HBM5, cuya producción masiva se prevé para 2029 con el objetivo de superar en un 50% la velocidad de HBM4E.