CoinScoopChangXin Memory Technologies (CXMT) alcanzará una capacidad mensual de 350,000 obleas DRAM a finales de año
El fabricante chino de DRAM, ChangXin Memory Technologies (CXMT) (长鑫存储), proyecta alcanzar una capacidad mensual de 350,000 obleas para finales de 2026, acercándose a las 375,000 estimadas para Micron (Micron). A pesar de las restricciones estadounidenses que impiden el acceso a tecnología EUV, la empresa utiliza litografía DUV y técnicas de multipatrón. Ya ha comenzado a distribuir chips DDR5 de 16 Gb y ha iniciado la producción en masa de módulos LPDDR5X-10667. El gobierno chino está incentivando a la empresa a transferir propiedad intelectual de DRAM a otros fabricantes nacionales como JHICC, Swaysure y XMC (长江存储子公司).
Los resúmenes los escribe una IA a partir del artículo original. No es asesoramiento de inversión.