Micron presenta el primer módulo DDR5 de 512 GB del mundo, con producción masiva prevista para 2027

Micron ha exhibido su nuevo módulo de memoria RDIMM DDR5 de 512 GB diseñado para servidores, capaz de alcanzar velocidades de hasta 9200 MT/s. La tecnología utiliza apilamiento vertical de chips DRAM mediante vías de silicio (TSV), lo que permite configuraciones de hasta 12 TB en servidores con 24 módulos. El producto destaca por su eficiencia energética, con un consumo de 16 W por módulo, y un rendimiento hasta 1,4 veces superior en análisis intensivos de memoria. La producción en masa está programada para 2027.